ALD

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一、原理

通过将气相前驱体脉冲交替地通入反应器并在沉积基体上化学吸附并反应而形成沉积膜的一种方法（技术）。当前驱体达到沉积基体表面，它们会在其表面化学吸附并发生表面反应。化学吸附自限制沉积过程中，第一种反应前驱体输入到基体材料表面并通过化学吸附（饱和吸附）保持在表面。当第二种前驱体通入反应器，起就会与已吸附于基体材料表面的第一前驱体发生反应。两个前驱体之间会发生置换反应并产生相应的副产物，直到表面的第一前驱体完全消耗，反应会自动停止并形成需要的原子层。因此这是一种自限制过程，而且不断重复这种反应形成薄膜。

二、设备型号、关键性能参数

设备型号：PICOSUN™ R-200 ALD  Advanced

关键性能参数：

配置6路独立前驱体源管线入口和2路等离子体源，反应器最高沉积温度500ºC。

对于2英寸基片（ɸ 50  mm），沉积10nm厚度Al2O3薄膜，通过九点法测量，薄膜厚度的不均匀性：≤1％；

• 应用

目前可以沉积的材料包括：氧化物，氮化物，氟化物，金属，碳化物，复合结构，硫化物，纳米薄层等。